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    碳化硅芯片用高导热高可靠性低温烧结银钜合SECrosslink® H80E
    产品介绍
    SECrosslinkR  H80E是一款低温无压烧结银,具有高导热系数、高粘接强度、高导电性、无孔洞、无分层、高可靠性等特点,适用于镀银、镀金和PPF等框架,应用于第三代半导体芯片的封装。
     
    特点
    · 低温烧结性能
    · 超高导热系数
    · 良好的芯片粘接力
    · 优异的点胶&划胶性能
    · 可控的Fillet height
    · Open time
    · Void
    · 无分层
    · 高可靠性
     
    性能参数
    剪推力(2×2 mm Si /Au-Ag LF, KgRT) 13
    剪推力(2×2 mm Si /Au-Ag LF, Kg260℃) 5.6
    玻璃化温度(℃) 210
    储能模量(MPa25℃) 22,100
    导热系数(W/m·k)    100
     
    推荐固化条件
    2 h @200 
    储存
    储存条件 - 40℃ ;
    保质期 12 个月
    钜合(上海)新材料科技有限公司
     
     
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